На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBRP123ES,126 | PBRP123ET,215 | PBRP123YS,126 | PBRP123YT,215 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <800 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | <40 В | <50 В | <40 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | <570 мВт | <500 мВт | <570 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | (не задано) | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | (не задано) | >230Ic, Vce = 300mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 10mA, 500mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | (не задано) | 500 нА |
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 10 кОм |