PBRN123EK,115

PBRN123, PBRN123EK,115, PBRN123ES,126, PBRN123ET,215, PBRN123YK,115, PBRN123YS,126, PBRN123YT,215

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBRN123EK,115PBRN123ES,126PBRN123ET,215PBRN123YK,115PBRN123YS,126PBRN123YT,215
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА<800 мА<600 мА<600 мА<800 мА<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<570 мВт<700 мВт<570 мВт<570 мВт<700 мВт<570 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>280Ic, Vce = 300mA, 5V>280Ic, Vce = 300mA, 5V>280Ic, Vce = 300mA, 5V>500Ic, Vce = 300mA, 5V>500Ic, Vce = 300mA, 5V>500Ic, Vce = 300mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА
Опір, підключений до бази
RB
2.2 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм480 Ом480 Ом480 Ом