На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBRN113EK,115 | PBRN113ES,126 | PBRN113ET,215 | PBRN113ZK,115 | PBRN113ZS,126 | PBRN113ZT,215 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <800 мА | <600 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <570 мВт | <700 мВт | <570 мВт | <570 мВт | <700 мВт | <570 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <220 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <220 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <220 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | |||||
Опір, підключений до бази | RB | 1 кОм | |||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 1 кОм | 1 кОм | 1 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |