На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSB9435T1 | NSB9435T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <3 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <30 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <3 Вт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >125Ic, Vce = 800mA, 1V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <210 мВIb, Ic = 20mA, 800mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <110 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | |