На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMUN2211LT1 | MMUN2211LT1G | MMUN2211LT3 | MMUN2211LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <400 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased |
Струм відсічення колектора | Ifrc | 500 нА | |||
Опір, підключений до бази | RB | 10 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | |||