На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FJNS4212RBU | FJNS4212RTA | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Short Body) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм | |