DTC143EET1

DTC143, DTC143EET1, DTC143EET1G, DTC143EETL, DTC143EKAT146, DTC143EM3T5G, DTC143EMT2L, DTC143ESATP, DTC143EUAT106, DTC143TET1, DTC143TET1G, DTC143TETL, DTC143TKAT146, DTC143TM3T5G, DTC143TMT2L, DTC143TSATP, DTC143TUAT106, DTC143XETL, DTC143XKAT146, DTC143XMT2L, DTC143XSATP, DTC143XUAT106, DTC143ZCA-TP, DTC143ZET1G, DTC143ZETL, DTC143ZKAT146, DTC143ZM3T5G, DTC143ZMT2L, DTC143ZSATP, DTC143ZUAT106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDTC143EET1DTC143EET1GDTC143EETLDTC143EKAT146DTC143EM3T5GDTC143EMT2LDTC143ESATPDTC143EUAT106DTC143TET1DTC143TET1GDTC143TETLDTC143TKAT146DTC143TM3T5GDTC143TMT2LDTC143TSATPDTC143TUAT106DTC143XETLDTC143XKAT146DTC143XMT2LDTC143XSATPDTC143XUAT106DTC143ZCA-TPDTC143ZET1GDTC143ZETLDTC143ZKAT146DTC143ZM3T5GDTC143ZMT2LDTC143ZSATPDTC143ZUAT106
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-723VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-723VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3SOT-23SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-723VMT3SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<600 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<600 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<600 мВт<150 мВт<300 мВт<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 5mA, 10V>15Ic, Vce = 5mA, 10V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>15Ic, Vce = 5mA, 10V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>160Ic, Vce = 5mA, 10V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА500 нА(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)500 нА500 нА(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА500 нА(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)
Опір, підключений до бази
RB
4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм2.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм470 Ом47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм