На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DTC113ZKAT146 | DTC113ZSATP | DTC113ZUAT106 | DTC113ZUA-TP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||
Опір, підключений до бази | RB | 1 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | |||