На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DTB143EKT146 | DTB143ESTP | DTB143TKT146 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | <50 В | <40 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >47Ic, Vce = 50mA, 5V | >47Ic, Vce = 50mA, 5V | >100Ic, Vce = 50mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||
Опір, підключений до бази | RB | 4.7 кОм | ||
Опір між емітером та базою | RE-B | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) |