DTB123ESTP

DTB123, DTB123EKT146, DTB123ESTP, DTB123TKT146, DTB123YKT146, DTB123YSTP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDTB123EKT146DTB123ESTPDTB123TKT146DTB123YKT146DTB123YSTP
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPTSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPT
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В<50 В<40 В<50 В<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>39Ic, Vce = 50mA, 5V>39Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
2.2 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм(не задано)9.9 кОм9.9 кОм