DTB113ESTP

DTB113, DTB113EKT146, DTB113ESTP, DTB113ZKT146, DTB113ZSTP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDTB113EKT146DTB113ESTPDTB113ZKT146DTB113ZSTP
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPTSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPT
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийКрізь отвірПоверхневийКрізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<300 мВт<200 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>33Ic, Vce = 50mA, 5V>33Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
1 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
1 кОм1 кОм10 кОм10 кОм