DTA144EE-TP

DTA144, DTA144ECA-TP, DTA144EET1, DTA144EET1G, DTA144EETL, DTA144EE-TP, DTA144EKAT146, DTA144EKA-TP, DTA144EM3T5G, DTA144EMT2L, DTA144ESATP, DTA144EUAT106, DTA144EUA-TP, DTA144GKAT146, DTA144GUAT106, DTA144TETL, DTA144TKAT146, DTA144TM3T5G, DTA144TMT2L, DTA144TSATP, DTA144TT1, DTA144TUAT106, DTA144VKAT146, DTA144VSATP, DTA144WET1, DTA144WET1G, DTA144WETL, DTA144WKAT146, DTA144WM3T5G, DTA144WSATP, DTA144WUAT106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		DTA144ECA-TP	DTA144EET1	DTA144EET1G	DTA144EETL	DTA144EE-TP	DTA144EKAT146	DTA144EKA-TP	DTA144EM3T5G	DTA144EMT2L	DTA144ESATP	DTA144EUAT106	DTA144EUA-TP	DTA144GKAT146	DTA144GUAT106	DTA144TETL	DTA144TKAT146	DTA144TM3T5G	DTA144TMT2L	DTA144TSATP	DTA144TT1	DTA144TUAT106	DTA144VKAT146	DTA144VSATP	DTA144WET1	DTA144WET1G	DTA144WETL	DTA144WKAT146	DTA144WM3T5G	DTA144WSATP	DTA144WUAT106
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-72-3, SPT	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3
Виробник	Виробник	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<260 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<2.7 Вт	<200 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<260 мВт	<300 мВт	<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>120Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>33Ic, Vce = 5mA, 5V	>33Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V	>56Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	(не задано)	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<250 МГц	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)
Опір, підключений до бази	R_B	47 кОм
Опір між емітером та базою	R_E-B	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	47 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	9.8 кОм	9.8 кОм	22 кОм	22 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм