На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DTA143ECA-TP | DTA143EET1 | DTA143EET1G | DTA143EETL | DTA143EE-TP | DTA143EKAT146 | DTA143EKAT246 | DTA143EKA-TP | DTA143EM3T5G | DTA143EMT2L | DTA143ESATP | DTA143EUAT106 | DTA143EUA-TP | DTA143TET1G | DTA143TETL | DTA143TKAT146 | DTA143TM3T5G | DTA143TMT2L | DTA143TSATP | DTA143TUAT106 | DTA143XETL | DTA143XKAT146 | DTA143XMT2L | DTA143XSATP | DTA143XUAT106 | DTA143ZCA-TP | DTA143ZET1 | DTA143ZET1G | DTA143ZETL | DTA143ZE-TP | DTA143ZKAT146 | DTA143ZKA-TP | DTA143ZM3T5G | DTA143ZMT2L | DTA143ZSATP | DTA143ZUAT106 | DTA143ZUA-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | >80Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Опір, підключений до бази | RB | 4.7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 10 кОм | 470 Ом | 470 Ом | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |