DTA123EET1G

DTA123, DTA123EET1, DTA123EET1G, DTA123EETL, DTA123EKAT146, DTA123EM3T5G, DTA123EMT2L, DTA123EUAT106, DTA123JCA-TP, DTA123JET1, DTA123JET1G, DTA123JETL, DTA123JE-TP, DTA123JKAT146, DTA123JKA-TP, DTA123JM3T5G, DTA123JMT2L, DTA123JUAT106, DTA123JUA-TP, DTA123YETL, DTA123YKAT146, DTA123YUAT106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDTA123EET1DTA123EET1GDTA123EETLDTA123EKAT146DTA123EM3T5GDTA123EMT2LDTA123EUAT106DTA123JCA-TPDTA123JET1DTA123JET1GDTA123JETLDTA123JE-TPDTA123JKAT146DTA123JKA-TPDTA123JM3T5GDTA123JMT2LDTA123JUAT106DTA123JUA-TPDTA123YETLDTA123YKAT146DTA123YUAT106
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-723VMT3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-723VMT3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoRohm SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<600 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<260 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 5mA, 10V>15Ic, Vce = 5mA, 10V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>8Ic, Vce = 5mA, 10V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>20Ic, Vce = 20mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>8Ic, Vce = 5mA, 10V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>80Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц(не задано)<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора
Ifrc
500 нА500 нА(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)500 нА500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)500 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Опір, підключений до бази
RB
2.2 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм105 Ом47 кОм47 кОм105 Ом105 Ом105 Ом105 Ом47 кОм105 Ом105 Ом47 кОм489 Ом489 Ом489 Ом