DTA114EET1G

DTA114, DTA114ECA-TP, DTA114EET1G, DTA114EETL, DTA114EKAT146, DTA114EKA-TP, DTA114EM3T5G, DTA114EMT2L, DTA114ESATP, DTA114EUAT106, DTA114EUA-TP, DTA114GKAT146, DTA114GSATP, DTA114GUAT106, DTA114TCA-TP, DTA114TET1, DTA114TET1G, DTA114TETL, DTA114TE-TP, DTA114TKAT146, DTA114TKA-TP, DTA114TM3T5G, DTA114TMT2L, DTA114TSATP, DTA114TUAT106, DTA114TUA-TP, DTA114TXV3T1G, DTA114WETL, DTA114WKAT146, DTA114WSATP, DTA114WUAT106, DTA114YET1, DTA114YET1G, DTA114YETL, DTA114YKAT146, DTA114YM3T5G, DTA114YMT2L, DTA114YSATP, DTA114YUAT106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		DTA114ECA-TP	DTA114EET1G	DTA114EETL	DTA114EKAT146	DTA114EKA-TP	DTA114EM3T5G	DTA114EMT2L	DTA114ESATP	DTA114EUAT106	DTA114EUA-TP	DTA114GKAT146	DTA114GSATP	DTA114GUAT106	DTA114TCA-TP	DTA114TET1	DTA114TET1G	DTA114TETL	DTA114TE-TP	DTA114TKAT146	DTA114TKA-TP	DTA114TM3T5G	DTA114TMT2L	DTA114TSATP	DTA114TUAT106	DTA114TUA-TP	DTA114TXV3T1G	DTA114WETL	DTA114WKAT146	DTA114WSATP	DTA114WUAT106	DTA114YET1	DTA114YET1G	DTA114YETL	DTA114YKAT146	DTA114YM3T5G	DTA114YMT2L	DTA114YSATP	DTA114YUAT106
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-89-3	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SOT-723	VMT3	SC-72-3, SPT	SC-70-3, SOT-323-3
Виробник	Виробник	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА	<100 мА	<50 мА	<50 мА	<100 мА	<100 мА	<50 мА	<50 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В	<40 В	<50 В	<50 В	<50 В	<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<200 мВт	<300 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<600 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<260 мВт	<150 мВт	<300 мВт	<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>30Ic, Vce = 5mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>160Ic, Vce = 5mA, 10V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>24Ic, Vce = 10mA, 5V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>80Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>35Ic, Vce = 5mA, 10V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V	>68Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	(не задано)	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	(не задано)	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP Pre-Biased
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	500 нА	500 нА	(не задано)	(не задано)	500 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Опір, підключений до бази	R_B	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм
Опір між емітером та базою	R_E-B	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	10 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	4.7 кОм	4.7 кОм	4.7 кОм	4.7 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм	47 кОм