DTA113TKAT146

DTA113, DTA113TKAT146, DTA113ZETL, DTA113ZKAT146, DTA113ZSATP, DTA113ZUAT106

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDTA113TKAT146DTA113ZETLDTA113ZKAT146DTA113ZSATPDTA113ZUAT106
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-72-3, SPTSC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<150 мВт<200 мВт<300 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1mA, 5V>33Ic, Vce = 5mA, 5V>33Ic, Vce = 5mA, 5V>33Ic, Vce = 5mA, 5V>33Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц<250 МГц<200 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
1 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм