На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DTA113TKAT146 | DTA113ZETL | DTA113ZKAT146 | DTA113ZSATP | DTA113ZUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | <250 МГц | <200 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||
Опір, підключений до бази | RB | 1 кОм | ||||
Опір між емітером та базою | RE-B | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |