На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DRDPB16W-7 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <600 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 50mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased + Diode |
Опір, підключений до бази | RB | 1 кОм |
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм |