На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DDTD143EC-7-F | DDTD143EU-7-F | DDTD143TC-7-F | DDTD143TU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >47Ic, Vce = 50mA, 5V | >47Ic, Vce = 50mA, 5V | >100Ic, Vce = 50mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||
Опір, підключений до бази | RB | 4.7 кОм | |||
Опір між емітером та базою | RE-B | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | (не задано) |