На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DDTD142JC-7 | DDTD142JC-7-F | DDTD142JU-7 | DDTD142JU-7-F | DDTD142TC-7 | DDTD142TC-7-F | DDTD142TU-7 | DDTD142TU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | |||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||||
Опір, підключений до бази | RB | 470 Ом | |||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |