DDTD123EC-7-F

DDTD123, DDTD123EC-7-F, DDTD123EU-7-F, DDTD123TC-7-F, DDTD123TU-7-F, DDTD123YC-7-F, DDTD123YU-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDTD123EC-7-FDDTD123EU-7-FDDTD123TC-7-FDDTD123TU-7-FDDTD123YC-7-FDDTD123YU-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>39Ic, Vce = 50mA, 5V>39Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
2.2 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм