DDTD122JC-7-F

DDTD122, DDTD122JC-7-F, DDTD122JU-7-F, DDTD122LC-7, DDTD122LC-7-F, DDTD122LU-7, DDTD122LU-7-F, DDTD122TC-7, DDTD122TC-7-F, DDTD122TU-7, DDTD122TU-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDTD122JC-7-FDDTD122JU-7-FDDTD122LC-7DDTD122LC-7-FDDTD122LU-7DDTD122LU-7-FDDTD122TC-7DDTD122TC-7-FDDTD122TU-7DDTD122TU-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>50Ic, Vce = 50mA, 5V>50Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V>56Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
220 Ом
Опір між емітером та базою
RE-B
4.7 кОм4.7 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)