DDTC142JE-7-F

DDTC142, DDTC142JE-7, DDTC142JE-7-F, DDTC142JU-7, DDTC142JU-7-F, DDTC142TE-7, DDTC142TE-7-F, DDTC142TU-7, DDTC142TU-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDTC142JE-7DDTC142JE-7-FDDTC142JU-7DDTC142JU-7-FDDTC142TE-7DDTC142TE-7-FDDTC142TU-7DDTC142TU-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц<250 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
470 Ом
Опір між емітером та базою
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)