DDTA144ECA-7-F

DDTA144, DDTA144ECA-7, DDTA144ECA-7-F, DDTA144EE-7, DDTA144EE-7-F, DDTA144EKA-7-F, DDTA144ELP-7, DDTA144EUA-7, DDTA144EUA-7-F, DDTA144GCA-7, DDTA144GCA-7-F, DDTA144GE-7, DDTA144GE-7-F, DDTA144GKA-7-F, DDTA144GUA-7, DDTA144GUA-7-F, DDTA144TCA-7, DDTA144TCA-7-F, DDTA144TE-7, DDTA144TE-7-F, DDTA144TKA-7-F, DDTA144TUA-7-F, DDTA144VCA-7, DDTA144VCA-7-F, DDTA144VE-7, DDTA144VE-7-F, DDTA144VKA-7-F, DDTA144VUA-7, DDTA144VUA-7-F, DDTA144WCA-7, DDTA144WCA-7-F, DDTA144WE-7, DDTA144WE-7-F, DDTA144WKA-7-F, DDTA144WUA-7, DDTA144WUA-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDTA144ECA-7DDTA144ECA-7-FDDTA144EE-7DDTA144EE-7-FDDTA144EKA-7-FDDTA144ELP-7DDTA144EUA-7DDTA144EUA-7-FDDTA144GCA-7DDTA144GCA-7-FDDTA144GE-7DDTA144GE-7-FDDTA144GKA-7-FDDTA144GUA-7DDTA144GUA-7-FDDTA144TCA-7DDTA144TCA-7-FDDTA144TE-7DDTA144TE-7-FDDTA144TKA-7-FDDTA144TUA-7-FDDTA144VCA-7DDTA144VCA-7-FDDTA144VE-7DDTA144VE-7-FDDTA144VKA-7-FDDTA144VUA-7DDTA144VUA-7-FDDTA144WCA-7DDTA144WCA-7-FDDTA144WE-7DDTA144WE-7-FDDTA144WKA-7-FDDTA144WUA-7DDTA144WUA-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-2363-DFNSC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<30 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<30 мА<100 мА<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>150Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>68Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм22 кОм