DDTA142

DDTA142, DDTA142JE-7, DDTA142JE-7-F, DDTA142JU-7, DDTA142JU-7-F, DDTA142TE-7, DDTA142TE-7-F, DDTA142TU-7, DDTA142TU-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDTA142JE-7DDTA142JE-7-FDDTA142JU-7DDTA142JU-7-FDDTA142TE-7DDTA142TE-7-FDDTA142TU-7DDTA142TU-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-523SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>56Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
470 Ом
Опір між емітером та базою
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)