DDTA115ECA-7

DDTA115, DDTA115ECA-7, DDTA115ECA-7-F, DDTA115EE-7-F, DDTA115EKA-7-F, DDTA115EUA-7, DDTA115EUA-7-F, DDTA115GCA-7, DDTA115GCA-7-F, DDTA115GE-7-F, DDTA115GKA-7-F, DDTA115GUA-7, DDTA115GUA-7-F, DDTA115TCA-7, DDTA115TCA-7-F, DDTA115TE-7-F, DDTA115TKA-7-F, DDTA115TUA-7, DDTA115TUA-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		DDTA115ECA-7	DDTA115ECA-7-F	DDTA115EE-7-F	DDTA115EKA-7-F	DDTA115EUA-7	DDTA115EUA-7-F	DDTA115GCA-7	DDTA115GCA-7-F	DDTA115GE-7-F	DDTA115GKA-7-F	DDTA115GUA-7	DDTA115GUA-7-F	DDTA115TCA-7	DDTA115TCA-7-F	DDTA115TE-7-F	DDTA115TKA-7-F	DDTA115TUA-7	DDTA115TUA-7-F
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-523	SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3
Виробник	Виробник	Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА	<100 мА	<20 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА	<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>82Ic, Vce = 5mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 1V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V	>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA	<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази	R_B	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм
Опір між емітером та базою	R_E-B	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	100 кОм	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)