DDTA113TCA-7-F

DDTA113, DDTA113TCA-7, DDTA113TCA-7-F, DDTA113TE-7, DDTA113TE-7-F, DDTA113TKA-7-F, DDTA113TUA-7, DDTA113TUA-7-F, DDTA113ZCA-7, DDTA113ZCA-7-F, DDTA113ZE-7-F, DDTA113ZKA-7-F, DDTA113ZUA-7, DDTA113ZUA-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDDTA113TCA-7DDTA113TCA-7-FDDTA113TE-7DDTA113TE-7-FDDTA113TKA-7-FDDTA113TUA-7DDTA113TUA-7-FDDTA113ZCA-7DDTA113ZCA-7-FDDTA113ZE-7-FDDTA113ZKA-7-FDDTA113ZUA-7DDTA113ZUA-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V>33Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
1 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм