На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCR198B6327 | BCR198E6327 | BCR198E6433 | BCR198FE6327 | BCR198L3E6327 | BCR198TE6327 | BCR198WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | TSFP-3 | TSLP-3-4 | SC-75 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <70 мА | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 5mA, 5V | ||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <190 МГц | ||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||||
Опір, підключений до бази | RB | 47 кОм | ||||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | ||||||