На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCR191E6327 | BCR191FE6327 | BCR191L3E6327 | BCR191TE6327 | BCR191WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | TSFP-3 | TSLP-3-4 | SC-75 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 5mA, 5V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||||
Опір, підключений до бази | RB | 22 кОм | ||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 22 кОм | ||||