На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCR158B6327 | BCR158E6327 | BCR158FE6327 | BCR158L3E6327 | BCR158TE6327 | BCR158WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | TSFP-3 | TSLP-3-4 | SC-75 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 5mA, 5V | |||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | |||||
Опір між емітером та базою | RE-B | 47 кОм | |||||