BCR148B6327

BCR148, BCR148B6327, BCR148E6327, BCR148E6433, BCR148FB6327, BCR148FE6327, BCR148L3E6327, BCR148TE6327, BCR148WE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBCR148B6327BCR148E6327BCR148E6433BCR148FB6327BCR148FE6327BCR148L3E6327BCR148TE6327BCR148WE6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23SOT-23SOT-23TSFP-3TSFP-3TSLP-3-4SC-75SOT-323
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<70 мА<70 мА<100 мА<70 мА<70 мА<70 мА<70 мА<70 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>70Ic, Vce = 5mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Опір, підключений до бази
RB
47 кОм
Опір між емітером та базою
RE-B
47 кОм