На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCR103FE6327 | BCR103L3E6327 | BCR103TE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSFP-3 | TSLP-3-4 | SC-75 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 20mA, 5V | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 1mA, 20mA | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | ||
Опір, підключений до бази | RB | 2.2 кОм | ||
Опір між емітером та базою | RE-B | 2.2 кОм | ||