На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCR101L3E6327 | BCR101TE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSLP-3-4 | SC-75 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <50 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 5mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |
Опір, підключений до бази | RB | 100 кОм | |
Опір між емітером та базою | RE-B | 100 кОм | |