На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXTD09N50DE6TA | ZXTD09N50DE6TC | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-6 | |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1.1 Вт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <215 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <10 нА | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |