ZDT649TC

ZDT649, ZDT649TA, ZDT649TC

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZDT649TAZDT649TC
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (8 leads), SM8
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<25 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<2.75 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 1A, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<240 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2