PMP4501G,115

PMP4501, PMP4501G,115, PMP4501G,135, PMP4501V,115, PMP4501Y,115, PMP4501Y,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPMP4501G,115PMP4501G,135PMP4501V,115PMP4501Y,115PMP4501Y,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOPSC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOPSS Mini-6 (SOT-666)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт<200 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мА<100 мА(не задано)<100 мА<100 мА
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2