На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NST857BDP6T5G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-963 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <350 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >220Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = .5mA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |