На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NST3906DP6T5G | NST3906DXV6T1 | NST3906DXV6T1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <200 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <350 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | >60Ic, Vce = 100µA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||