На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | EMX1DXV6T1 | EMX1DXV6T1G | EMX1DXV6T5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-563 | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||