На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BCM847BV,115 | BCM847BV,315 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |