На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC858CDW1T1 | BC858CDW1T1G | BC858CDXV6T1G | BC858CDXV6T5 | BC858CDXV6T5G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <30 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <380 мВт | <380 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | ||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||