На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC856AS-7 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <65 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >125Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <15 нА |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |