На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC847PN-7-F | BC847PNB6327 | BC847PNE6327 | BC847PNE6433 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200.22Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN+PNP | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||