BC847CDW1T1G

BC847CD, BC847CDLP-7, BC847CDW1T1G, BC847CDXV6T1G, BC847CDXV6T5, BC847CDXV6T5G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC847CDLP-7BC847CDW1T1GBC847CDXV6T1GBC847CDXV6T5BC847CDXV6T5G
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DFNSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SOT-563SOT-563
Виробник
Виробник
Diodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<380 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>420Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2