На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC847BV,115 | BC847BV,315 | BC847BV-7 | BC847BVC-7 | BC847BVN,115 | BC847BVN-7 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) | SS Mini-6 (SOT-666) | SOT-563 | SOT-563 | SS Mini-6 (SOT-666) | SOT-563 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | NXP Semiconductors | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <150 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | |||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN+PNP | NPN+PNP |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |||||