На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC847BPDW1T1G | BC847BPDW1T2G | BC847BPDXV6T1 | BC847BPDXV6T1G | BC847BPDXV6T5G | BC847BPN,115 | BC847BPN,125 | BC847BPN,135 | BC847BPN,165 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | ||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <380 мВт | <380 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP | NPN+PNP |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||||||||