BC846BD

BC846BD, BC846BDW1T1G, BC846BPDW1T1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC846BDW1T1GBC846BPDW1T1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<65 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<380 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>150Ic, Vce = 10µA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 0.5mA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2