На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC817DS,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |