ZXTP25020CFFTA

ZXTP25020, ZXTP25020BFHTA, ZXTP25020CFFTA, ZXTP25020CFH, ZXTP25020DFHTA, ZXTP25020DFLTA, ZXTP25020DGTA, ZXTP25020DZTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZXTP25020BFHTAZXTP25020CFFTAZXTP25020CFHZXTP25020DFHTAZXTP25020DFLTAZXTP25020DGTAZXTP25020DZTA
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3 Flat Leads, SOT-23F-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-89-3, TO-243-3
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4 А<4.5 А<4 А<4 А<1.5 А<6 А<5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.05 Вт<1.5 Вт<1.05 Вт<1.05 Вт<350 мВт<3 Вт<2.4 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 2V>200Ic, Vce = 10mA, 2V>200Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<60 мВIb, Ic = 100mA, 1A<110 мВIb, Ic = 20mA, 1A<55 мВIb, Ic = 100mA, 1A<60 мВIb, Ic = 100mA, 1A<85 мВIb, Ic = 100mA, 1A<65 мВIb, Ic = 100mA, 1A<65 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц<285 МГц<285 МГц<290 МГц<290 МГц<290 МГц<290 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP