На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXTP2012A | ZXTP2012ASTOA | ZXTP2012ASTZ | ZXTP2012GTA | ZXTP2012ZTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-89-3, TO-243-3 |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <3.5 А | <3.5 А | <3.5 А | <5.5 А | <4.3 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <3 Вт | <1.5 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1A, 1V | >100Ic, Vce = 1A, 1V | >100Ic, Vce = 1A, 1V | >100Ic, Vce = 2A, 1V | >100Ic, Vce = 2A, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <20 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <20 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <115 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <25 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <20 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <120 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||